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在图案化基材上藉由氢化物气相外延法(HVPE)形成三族氮化物结晶膜的方法

摘要

一种沉积高品质低缺陷的单晶三族氮化物膜的方法。在此提供具有多个特征结构的图案化基材,该基材具有以间隔空间隔开的倾斜侧壁。三族氮化物膜是通过氢化物气相外延(HVPE)制程而沉积在图案化基材上。HVPE沉积制程形成三族氮化物膜,该三族氮化物膜在特征结构之间的间隔空间中具有第一晶体取向,而在倾斜侧壁上具有不同的第二晶体取向。间隔空间中的第一晶体取向接着蔓延盖过侧壁上的第二晶体取向,并且在制程中调转且终结形成于第一晶体取向中的贯穿式位错。

著录项

  • 公开/公告号CN102576663B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN201080041923.1

  • 申请日2010-07-16

  • 分类号H01L21/20(20060101);H01L33/02(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陆勍;刘佳

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:22:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-12-10

    授权

    授权

  • 2012-09-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20100716

    实质审查的生效

  • 2012-07-11

    公开

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