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单片半导体陶瓷电子元件

摘要

本发明提供了一种单片半导体陶瓷电子元件,它包含交替设置的钛酸钡基半导体陶瓷层和内部电极、电气连接到内部电极层的外部电极。半导体陶瓷层包含陶瓷微粒,其平均微粒尺寸大约1μm或更小,每一层陶瓷微粒沿垂直于半导体层方向上的平均数量为大约10或更大。内部电极层最好由镍基金属制成。

著录项

  • 公开/公告号CN1155013C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社村田制作所;

    申请/专利号CN99124805.8

  • 发明设计人 川本光俊;

    申请日1999-11-11

  • 分类号H01C7/02;C04B35/468;

  • 代理机构上海专利商标事务所;

  • 代理人陈亮

  • 地址 日本京都府

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-06

    专利权有效期届满 IPC(主分类):H01C 7/02 授权公告日:20040623 申请日:19991111

    专利权的终止

  • 2004-06-23

    授权

    授权

  • 2004-06-23

    授权

    授权

  • 2000-05-24

    公开

    公开

  • 2000-05-24

    公开

    公开

  • 2000-04-26

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 2000-04-26

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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