场边次位线反或NOR快闪阵列以及其制造工艺方法

摘要

本发明提供一种场边次位线NOR快闪阵列以及其制造工艺方法。本发明场边次位线NOR快闪阵列，是利用和存储器单元的源极/漏极同一类型的杂质，来形成场边次位线。沿着场沟槽氧化物的二侧壁，场边次位线连接多个存储器单元的源极与漏极电极。通过设于中间转折点的电气接点，各场边次位线连接至对应的主位线。因为在被连接的存储器单元的源极/漏极并未包含任何电气接点，所以字元线间距及位线间距适用一特定半导体制造工艺技术时代的最小几何特征。本发明场边次位线NOR快闪阵列具有至少和已知NAND快闪存储器阵列一样高的单元面积密度。同时，本发明依然保留了相对于传统NAND快闪存储器的竞争优势：快速读/写速度以及低操作电压。