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将高阻值P型薄膜活化成低阻值P型薄膜的制造方法

摘要

一种将高阻值P型薄膜活化成低阻值P型薄膜的制造方法,利用温度梯度变化所产生的能量,将高阻值P型掺杂的薄膜活化成低阻值P型掺杂的薄膜。高阻值P型薄膜为P型掺杂的III族金属氮化物薄膜、或是P型掺杂的II-VI族化合物薄膜。本发明在温度梯度变化过程中,进行持温操作的时间小于1分钟。利用快速升降温的方式达成P型掺杂活化,将热处理的时间缩短,进而减少长时间热处理所衍生的扩散问题。

著录项

  • 公开/公告号CN1158697C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-07-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 连威磊晶科技股份有限公司;

    申请/专利号CN01109032.4

  • 发明设计人 李世昌;陈聪育;曾坚信;詹世雄;

    申请日2001-02-27

  • 分类号H01L21/324;H01L21/20;H01L21/22;

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘朝华

  • 地址 台湾省新竹县

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-04-30

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2004-07-21

    授权

    授权

  • 2002-12-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-10-02

    公开

    公开

  • 2001-06-27

    实质审查请求的生效

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