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可提高介质窗高功率微波击穿阈值的方法及装置

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本发明涉及可提高介质窗高功率微波击穿阈值的方法及装置。在介质窗真空侧施加一个平行于介质窗表面且垂直于高功率微波的电场分量方向的外谐振磁场，谐振磁场满足以下条件：Ω＝(0.5～2)ω，且使得电子谐振加速获得的碰撞能量高于二次产额曲线的第二交叉点。装置包括两个矩形H面弯波导、与两个矩形H面弯波导连接的传输TE

著录项

公开/公告号CN102044728B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-12-03

原文格式PDF
申请/专利权人西北核技术研究所;
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申请/专利号CN201010106292.9
发明设计人常超;方进勇;陈昌华;黄惠军;邵浩;
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申请日2010-02-04
分类号
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人王少文
地址 710024 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
入库时间 2022-08-23 09:22:05

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-12-03

授权

授权
2011-06-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01P 1/08 申请日:20100204

实质审查的生效
2011-05-04

公开

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