保护芯片级封装的T型接触免受潮

摘要

一种方法包括进行在封装结构上的第一芯片切割，并且包括形成在封装结构的沟槽中延伸的第一金属引线和第二金属引线，其中，所述第一金属引线和所述第二金属引线与在封装结构的装置中的接触焊盘的侧边缘接触。第一金属引线和第二金属引线通过连接金属部互相连接，进行预切割以切割连接金属部来分离第一金属引线和第二金属引线，其中，在预切割以后，连接金属部的剩余部具有边缘。在第一金属引线和第二金属引线的上方形成电介质涂层。进行芯片切割以将封装结构切割开，从而，将第一芯片和第二芯片分成分离件，在每个生成的分离件中，通过第一电介质涂层的剩余部来覆盖连接金属部的剩余部的边缘。