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一种增强多孔硅发光和分散性的表面改性工艺

摘要

本发明公开了一种增强多孔硅发光和分散性的表面改性工艺,采用化学–电化学腐蚀相结合的方法,可以大面积制备具有整齐孔隙结构的多孔硅,然后将多孔硅经烯烃和烯酸进行表面改性,在硅颗粒表面引入了Si-C键。与未经表面改性处理的多孔硅相比,改性后多孔硅颗粒的光致发光强度有了明显增强;同时,硅颗粒在极性和非极性溶剂中的发光稳定性大大提高,发光强度随时间延长而衰减现象得到的有效改善;此外,包覆烯酸分子的硅颗粒在极性溶剂中的分散性能良好。本发明工艺简单,方便操作并且适合大规模生产,具有很强的工业应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN103288087B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-09-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201310204226.9

  • 发明设计人 李东升;梁锋;杨德仁;

    申请日2013-05-28

  • 分类号

  • 代理机构杭州天勤知识产权代理有限公司;

  • 代理人胡红娟

  • 地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

  • 入库时间 2022-08-23 09:21:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-14

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/02 授权公告日:20140903 终止日期:20180528 申请日:20130528

    专利权的终止

  • 2014-09-03

    授权

    授权

  • 2014-09-03

    授权

    授权

  • 2013-10-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B33/02 申请日:20130528

    实质审查的生效

  • 2013-10-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/02 申请日:20130528

    实质审查的生效

  • 2013-09-11

    公开

    公开

  • 2013-09-11

    公开

    公开

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