法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-10-01
授权
授权
2013-04-03
实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/90 申请日:20121029
实质审查的生效
2013-02-27
公开
公开
机译: 制备至少一种掺有锶的钴和钙钛矿镧的基本上立方稳定的晶体结构的方法,物质和复合物的组成,以及从含氧气流中分离氧气的方法
机译: 包含第一元素X(钡和/或镧)以及锶,铁,钴,氧和钨的钙钛矿结构
机译: 新型烧结单相钙钛矿半导体陶瓷,尤其是锶镧镧钛钴氧化物的烧结陶瓷,用于稳定的NTC接通限流器和低欧姆NTC热敏电阻