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一种高光效、低光衰以及高封装良率LED芯片

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本发明涉及一种高光效、低光衰以及高封装良率LED芯片，其层结构依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光穿透层（9）、二氧化硅层（10）、金属层（11），其特征在于：该芯片蚀刻成梯台结构并形成环状N型电极和P型电极，P型电极被环状N型电极包围，所述环状N型电极和所述P型电极与PCB板连接的焊锡面处于同一水平面。本发明由于芯片结构包括N型电极和P型电极，使得PN电极层面积最大，得到最大注入电流，提升发光效率。

著录项

公开/公告号CN102447033B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-10-15

原文格式PDF
申请/专利权人四川鋈新能源科技有限公司;
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申请/专利号CN201110451883.4
发明设计人李顺程;
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申请日2011-12-29
分类号
代理机构
代理人
地址 610404 四川省成都市金堂县淮口工业园
入库时间 2022-08-23 09:21:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-02-24

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/38 授权公告日:20141015 终止日期:20141229 申请日:20111229

专利权的终止
2014-10-15

授权

授权
2012-06-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/38 申请日:20111229

实质审查的生效
2012-05-09

公开

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外文文献

1. 一种高光效、低光衰以及高封装良率LED芯片 [P] . 中国专利： CN102447033B . 2014.10.15
2. 一种高光效、低光衰以及高封装良率LED芯片 [P] . 中国专利： CN202405306U . 2012.08.29
3. Chip package structure and manufacturing method thereof for effectively lowering manufacturing costs and improving yield and reliability of the chip package structure [P] . 美国专利： US8242594B2 . 2012-08-14

机译：芯片封装结构及其制造方法，可有效降低制造成本，提高芯片封装结构的良率和可靠性
4. LED light part i.e. energy-efficient/energy-saving lamp, has LED chips including color temperatures from color temperature spectrum of specific Kelvin combined with LED chips with low color temperature and LED chips with high red/blue parts [P] . 德国专利： DE102012019670A1 . 2014-04-24

机译： LED灯部分，即节能/节能灯，具有包括特定开尔文色温光谱的色温在内的LED芯片，色温低的LED芯片和红色/蓝色高的LED芯片
5. LED PACKAGE INCLUDING GROUP CHIP AND METHOD OF PRODUCING LED PACKAGE HAVING VARIOUS LIGHT EMITTING CHARACTERISTICS BY USING LED CHIPS FABRICATED FROM ONE LED PRODUCTION LINE [P] . 韩国专利： KR20050004636A . 2005-01-12

机译：包括组芯片的LED封装以及使用一种生产线制造的LED芯片制造具有各种发光特性的LED封装的方法