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光刻工艺集成量测图形以及光刻工艺量测方法

摘要

本发明提供了一种光刻工艺集成量测图形以及光刻工艺量测方法。根据本发明的光刻工艺集成量测图形包括:用于量测垂直隔离线条的垂直隔离线条量测部分、用于量测水平隔离线条的水平隔离线条量测部分、用于量测垂直隔离沟槽的垂直隔离沟槽量测部分、用于量测水平隔离沟槽的水平隔离沟槽量测部分、用于量测垂直密集线条的垂直密集线条量测部分、用于量测水平密集线条的水平密集线条量测部分、用于量测垂直密集沟槽的垂直密集沟槽量测部分、用于量测水平密集沟槽的水平密集沟槽量测部分中的多个或全部。

著录项

  • 公开/公告号CN102360168B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201110310582.X

  • 发明设计人 王剑;毛智彪;戴韫青;

    申请日2011-10-13

  • 分类号G03F7/20(20060101);G01B21/02(20060101);G01B21/16(20060101);H01L23/544(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陆花

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

  • 入库时间 2022-08-23 09:20:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-27

    授权

    授权

  • 2012-04-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20111013

    实质审查的生效

  • 2012-02-22

    公开

    公开

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