用于等离子体刻蚀的先进工艺控制方法

摘要

本发明涉及一种用于等离子体刻蚀的先进工艺控制方法，包括下述步骤：S1：通过刻蚀机对一晶圆进行刻蚀；S2：对所述晶圆的至少一个刻蚀参数进行实时的数据采集；S3：根据所采集的数据调整所述晶圆当前的刻蚀参数，然后转入步骤S1，直至完成刻蚀。本发明能够精确控制刻蚀过程，提高刻蚀质量和良品率，减少返工和废弃率。