首页> 中国专利> 最小化场阑IGBT的缓冲区及发射极电荷差异的方法

最小化场阑IGBT的缓冲区及发射极电荷差异的方法

摘要

本发明提出了一种在半导体衬底中形成的绝缘栅双极晶体管(IGBT)。该IGBT含有一个第一导电类型的缓冲层,在第一导电类型的外延层下方形成,具有本体和源极区。该IGBT还包括一个在缓冲层下方的轻掺杂的衬底层,以及一个第二导电类型的掺杂层,沉积在轻掺杂的衬底层下方以及所述的IGBT的漏极电极上方,贴装到所述的半导体衬底的底面上,其中第二导电类型的掺杂层的掺杂浓度高于轻掺杂的衬底层。

著录项

  • 公开/公告号CN102347355B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN201110156814.0

  • 申请日2011-05-30

  • 分类号H01L29/739(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/08(20060101);H01L21/331(20060101);H01L21/02(20060101);

  • 代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人徐雯琼;张妍

  • 地址 美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号

  • 入库时间 2022-08-23 09:20:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-23

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20180305 变更前: 变更后: 申请日:20110530

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-09-28

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20160906 变更前: 变更后: 申请日:20110530

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-09-28

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20160906 变更前: 变更后: 申请日:20110530

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-09-28

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20160906 变更前: 变更后: 申请日:20110530

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-09-28

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20160906 变更前: 变更后: 申请日:20110530

    专利申请权、专利权的转移

  • 2014-08-06

    授权

    授权

  • 2014-08-06

    授权

    授权

  • 2012-03-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20110530

    实质审查的生效

  • 2012-03-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20110530

    实质审查的生效

  • 2012-02-08

    公开

    公开

  • 2012-02-08

    公开

    公开

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