公开/公告号CN102347355B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-08-06
原文格式PDF
申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201110156814.0
申请日2011-05-30
分类号H01L29/739(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/08(20060101);H01L21/331(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙);
代理人徐雯琼;张妍
地址 美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号
入库时间 2022-08-23 09:20:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-23
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20180305 变更前: 变更后: 申请日:20110530
专利申请权、专利权的转移
2016-09-28
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20160906 变更前: 变更后: 申请日:20110530
专利申请权、专利权的转移
2016-09-28
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20160906 变更前: 变更后: 申请日:20110530
专利申请权、专利权的转移
2016-09-28
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20160906 变更前: 变更后: 申请日:20110530
专利申请权、专利权的转移
2016-09-28
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20160906 变更前: 变更后: 申请日:20110530
专利申请权、专利权的转移
2014-08-06
授权
授权
2014-08-06
授权
授权
2012-03-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20110530
实质审查的生效
2012-03-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20110530
实质审查的生效
2012-02-08
公开
公开
2012-02-08
公开
公开
查看全部
机译: 最小化场停止绝缘栅双极晶体管(IGBT)缓冲器和发射极电荷变化的方法
机译: 最小化场停止绝缘栅双极晶体管(IGBT)缓冲器和发射极电荷变化的方法
机译: /用于最小化功率MOS设备中栅极电荷和栅极至漏极电容的技术,例如DMOS IGBT和MOSFET