法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-03-29
专利权的终止未缴年费专利权终止
专利权的终止未缴年费专利权终止
2004-01-21
授权
授权
2002-07-24
公开
公开
2002-05-08
实质审查的生效
实质审查的生效
机译: 发光二极管及其制造方法,集成的发光二极管及其制造方法,生长基于氮化物的Ⅲ-Ⅴ族复合半导体的方法,用于生长基于氮化物的Ⅲ-Ⅴ族复合半导体的基质光源单元,光源二极管背光源,发光二极管照明装置,发光二极管显示器和电子仪器,电子装置及其制造方法
机译: 发光二极管,其制造方法,集成发光二极管,其制造方法,生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的基板,光源单元,光源二极管背光源和发光二极管照明设备,发光二极管显示器,电子设备,电子设备及其制造方法
机译: 基于半导体波导的高速全光波长转换器