BiCMOS工艺中的PN结变容器及制造方法

摘要

本发明公开了一种BiCMOS工艺中的PN结变容器，包括一N型区、P型区和一N型赝埋层。N型区和P型区形成于有源区中并相接触形成PN结，P型区处于N型区的上部。N型赝埋层形成于有源区两侧的浅槽场氧的底部并和N型区相接触，通过在N型赝埋层顶部的浅槽场氧中形成深孔接触引出N型区。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的PN结变容器的制造方法。本发明器件能大大减少器件的面积、减少器件的传导电阻，同时还能保持良好的器件性能，还能作为BiCMOS高频电路中的输出器件。