公开/公告号CN102315241B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-06-25
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;
申请/专利号CN201110176336.X
发明设计人 U.奥瑟莱希纳;
申请日2011-06-28
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人王岳
地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
入库时间 2022-08-23 09:19:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-06-25
授权
授权
2012-03-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/22 申请日:20110628
实质审查的生效
2012-01-11
公开
公开
机译: GMR传感器具有降低的AMR效应
机译: 用于基于各向异性磁阻(AMR)效应或巨大磁阻(GMR)效应测量磁场的磁阻传感器
机译: 具有利用GMR和AMr效应的读取头的存储系统