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半胱氨酸表面修饰的CdTe或CdTe/CdS量子点的制备及用其检测砷的方法

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摘要

本发明公开了一种半胱氨酸表面修饰的CdTe/CdS量子点的制备方法，包括以下步骤：室温条件下，将含镉化合物粉末与半胱氨酸混合，充分搅拌调pH值后得到Cd前体溶液；然后在Te粉中加入NaBH

1. 半胱氨酸表面修饰的CdTe或CdTe/CdS量子点的制备及用其检测砷的方法 [P] . 中国专利： CN102994092A . 2013-03-27
2. 一种水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修饰的CdTe/CdS核/壳量子点的制备方法 [P] . 中国专利： CN102719254B . 2014-01-08
3. METHOD FOR PRODUCING SURFACE-MODIFIED CORE/SHELL QUANTUM DOT [P] . 韩国专利： KR20170007641A . 2017-01-19

机译：制备表面修饰的核/壳量子点的方法
4. METHOD TO MODIFY THE SURFACE OF QUANTUM DOTS AND A METHOD TO PREPARE A DISPERSION OF SURFACE MODIFIED QUANTUM DOTS [P] . 欧洲知识产权局专利： WO2022079198A1 . 2022-04-21

机译：修饰量子点表面的方法和制备表面修饰量子点色散的方法
5. III-V III-V Method for Preparing III-V Quantum Dot with Improved Luminescence Efficiency by Surface Modification and Surface-modified III-V Quantum Dot [P] . KR1020240084214A;KR2024100084214A;KR20240084214A;KR20240084214 . 2024-06-13

机译： III-V III-V.表面修饰III-V量子点制备发光效率更高的III-V量子点方法和表面修饰III-V量子点