首页> 中国专利> 通过表面粗糙化的高光提取效率的基于氮化物的发光二极管

通过表面粗糙化的高光提取效率的基于氮化物的发光二极管

摘要

本发明揭示一种III-氮化物发光二极管(LED)及其制造方法,其中纹理化所述LED的III-氮化物层的半极性或非极性平面的至少一个表面,借此形成经纹理化表面以增加光提取。可通过等离子辅助化学蚀刻、光刻之后进行蚀刻或纳米压印之后进行蚀刻来执行所述纹理化。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20140618 终止日期:20151201 申请日:20081201

    专利权的终止

  • 2014-06-18

    授权

    授权

  • 2010-12-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20081201

    实质审查的生效

  • 2010-10-27

    公开

    公开

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