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用于增加未对准鳍的鳍式器件密度的方法和器件

摘要

公开了一种用于通过具有平面型晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。将多个延长芯棒限定在多个有源区域中。在相邻有源区域部分平行并在规定的最小间距内的情况下,将连接元件添加至位于相邻有源区域之间的空间的一部分,从而从一个有源区域至另一有源区域连接芯棒端部。

著录项

  • 公开/公告号CN102468182B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-06-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201110358405.9

  • 发明设计人 王建勋;张智胜;林以唐;谢铭峰;

    申请日2011-11-11

  • 分类号H01L21/336(20060101);G06F17/50(20060101);G03F1/00(20120101);

  • 代理机构11306 北京德恒律师事务所;

  • 代理人陆鑫;房岭梅

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 09:19:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-06-18

    授权

    授权

  • 2012-07-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20111111

    实质审查的生效

  • 2012-05-23

    公开

    公开

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