一种基于标准CMOS工艺的叠层差分光电探测器

摘要

本发明属于硅基光接收机技术领域，涉及一种基于标准CMOS工艺叠层差分双光电探测器，包括：呈垂直分布的MSM型光电探测器、双光电二极管型光电探测器以及位于两者之间的隔离层，其中，双光电二极管型光电探测器制作在硅衬底PSUB上，使用P+/N阱结作为工作二极管，N阱/Psub结作为屏蔽二极管，位于下方，其阴极P+与阳极N+相间分布，每两个阳极N+间的阴极P+数量为3～4个；MSM型光电探测器制作在低掺杂多晶硅层POLY1上，位于上方。本发明提供的光电探测器，能够由一路输入光信号得到两路相互隔离的光电流信号；提高光注入效率；使基于标准CMOS工艺的光接收机在保证带宽和频率特性的情况下获得足够的响应度。