溅射靶材料、其制备方法、及使用其制备的薄膜

摘要

本发明提供一种用于制备垂直磁记录介质的中间层膜的溅射靶材料、其方法及用其制备的薄膜，其中，向Ni-W-系合金添加Cr使得能够在使中间层中的晶粒在保持结晶性的同时显著微细化。本发明的溅射靶材料由Ni-W-Cr合金制成，所述Ni-W-Cr合金包含以原子％计的下列各项：1至20％的W；1至20％的Cr；和余量的Ni。