一种水滑石-聚(3,4-乙撑二氧噻吩)核壳结构超电容材料的制备方法

摘要

本发明公开了属于超电容材料制备技术领域的一种水滑石-聚(3，4-乙撑二氧噻吩)核壳结构超电容材料及其制备方法。该超电容材料由电化学活性的水滑石和具有良好导电性的聚(3，4-乙撑二氧噻吩)组成。其制备方法：首先制备水滑石阵列薄膜，然后采用电化学沉积法在水滑石纳米晶阵列上包覆一层聚(3，4-乙撑二氧噻吩)，形成核壳结构。本发明的优点在于：阵列结构的水滑石纳米晶可有效抑制活性组分的聚集，并且为电子的传递提供了通道，保证了快速充放电过程中电子的有效转移；聚(3，4-乙撑二氧噻吩)壳层的引入改善了常规赝电容材料倍率性能差的缺点。