法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-16
授权
授权
2011-12-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20091209
实质审查的生效
2010-08-04
公开
公开
机译: 包括掩埋栅电极的半导体器件和形成包括掩埋栅电极的半导体器件的方法
机译: 包括掩埋栅电极和隔离层的半导体器件以及使用自对准双图案形成包括掩埋栅电极和隔离层的半导体器件的方法
机译: 包括埋入式栅电极的半导体器件以及包括该埋入式栅电极的半导体器件的形成方法