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反相器、操作反相器的方法以及包括反相器的逻辑电路

摘要

本发明提供了一种反相器、操作反相器的方法以及包括反相器的逻辑电路。所述反相器可包括负载晶体管和驱动晶体管,负载晶体管和驱动晶体管中的至少一个可具有双栅结构。负载晶体管或驱动晶体管的阈值电压可通过双栅结构来调整,从而反相器可以是增强/耗尽(E/D)型反相器。

著录项

  • 公开/公告号CN101714870B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200910175707.5

  • 申请日2009-09-29

  • 分类号H03K19/20(20060101);

  • 代理机构11286 北京铭硕知识产权代理有限公司;

  • 代理人韩明星;王青芝

  • 地址 韩国京畿道水原市

  • 入库时间 2022-08-23 09:18:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-04-09

    授权

    授权

  • 2011-11-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 19/20 申请日:20090929

    实质审查的生效

  • 2010-05-26

    公开

    公开

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