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PMOS管带通-带阻和高通-低通变阈电路

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摘要

本发明公开PMOS管带通-带阻和高通-低通变阈电路，PMOS管带通-带阻变阈电路由二个NMOS管Q

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-03

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/4096 授权公告日:20140402 终止日期:20160915 申请日:20110915

专利权的终止
2014-04-02

授权

授权
2014-04-02

授权

授权
2012-06-27

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/4096 申请日:20110915

实质审查的生效
2012-06-27

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/4096 申请日:20110915

实质审查的生效
2012-05-02

公开

公开
2012-05-02

公开

公开

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1. PMOS管带通-带阻和高通-低通变阈电路 [P] . 中国专利： CN102436847B . 2014.04.02
2. 采用带通阈加载技术的K值和十值半加器和半减器的构建方法及其电路 [P] . 中国专利： CN104300965B . 2017.06.30
3. High power sound output interface mechanism having high pass/band pass filters interfacing amplifier/low/medium frequency loudspeakers and by pass switch providing direct path one loudspeaker. [P] . 法国专利： FR2807906A1 . 2001-10-19

机译：高功率声音输出接口机制，具有与放大器/低/中频扬声器接口的高通/带通滤波器，以及通过直通通道提供扬声器的旁通开关。
4. NATIVE PMOS DEVICE WITH LOW THRESHOLD VOLTAGE AND HIGH DRIVE CURRENT AND METHOD OF FABRICATING THE SAME [P] . 美国专利： US2016071935A1 . 2016-03-10

机译：低阈值电压和高驱动电流的原生PMOS器件及其制造方法
5. Native PMOS device with low threshold voltage and high drive current and method of fabricating the same [P] . 美国专利： US9184287B2 . 2015-11-10

机译：具有低阈值电压和高驱动电流的原生PMOS器件及其制造方法