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锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底

摘要

一种锗硅衬底的生长方法,包括如下步骤:提供单晶硅支撑衬底;在单晶硅支撑衬底表面形成籽晶层,所述籽晶层的材料为单晶锗硅;在籽晶层的表面形成插入层,所述插入层的材料为锗组分大于籽晶层中锗组分的单晶锗硅;在插入层的表面形成锗硅晶体层。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-04-09

    授权

    授权

  • 2012-06-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20110729

    实质审查的生效

  • 2012-03-21

    公开

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