公开/公告号CN102386068B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-04-09
原文格式PDF
申请/专利权人 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN201110215670.1
申请日2011-07-29
分类号
代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通合伙);
代理人孙佳胤
地址 201821 上海市嘉定区普惠路200号
入库时间 2022-08-23 09:18:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-09
授权
授权
2012-06-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20110729
实质审查的生效
2012-03-21
公开
公开
机译: 基于绝缘体锗上的硅衬底的锗层的制备方法---
机译: 在硅衬底上形成高生长速率,低电阻率锗膜的方法
机译: 在硅衬底上形成高生长速率,低电阻率锗膜的方法