公开/公告号CN102076881B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-03-26
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料意大利有限公司;
申请/专利号CN200980124530.4
发明设计人 安德烈亚·贝茨尼;
申请日2009-06-12
分类号
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国
地址 意大利圣比亚焦迪卡拉尔塔
入库时间 2022-08-23 09:18:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-02
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C16/00 授权公告日:20140326 终止日期:20190612 申请日:20090612
专利权的终止
2014-03-26
授权
授权
2014-03-26
授权
授权
2011-08-03
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/00 申请日:20090612
实质审查的生效
2011-08-03
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/00 申请日:20090612
实质审查的生效
2011-05-25
公开
公开
2011-05-25
公开
公开
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机译: 绝缘体上硅衬底的制造方法例如用于形成绝缘体。光学部件,包括在施主衬底上形成非晶层并在使施主衬底层转移到支撑衬底上之前重结晶非晶层
机译: 在衬底上形成器件,在衬底上形成器件阵列,在衬底上形成导线,在衬底上形成电容器阵列的半导体处理方法以及集成电路
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