公开/公告号CN102508413B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-04-09
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201110328167.7
发明设计人 王剑;
申请日2011-10-25
分类号G03F7/20(20060101);H01L21/66(20060101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人陆花
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
入库时间 2022-08-23 09:18:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-09
授权
授权
2012-07-18
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20111025
实质审查的生效
2012-06-20
公开
公开
机译: 制造半导体装置的方法,该方法能够防止由于光阻图案的厚度损失而切割光阻图案
机译: 形成二维二维光阻图案的光罩和通过防止光阻图案变形并增加屏蔽图案的图像清晰度来获得所需临界尺寸的方法
机译: 电子设备用基板,其中央部基板利用预定厚度的铜膜,以包围金属电极的方式配置的光阻焊膜,以及在该阻焊膜上形成的开口内配置的镀膜。