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获取光阻厚度变化和监控光阻厚度对图形尺寸影响的方法

摘要

一种获取光阻厚度变化的方法,包括:提供半导体衬底,在半导体衬底上形成一定厚度的光阻层,所述光阻层的厚度为摇摆曲线中相邻波峰和波谷中间点对应的光阻厚度;对所述一定厚度的光阻层进行曝光,显影,形成光阻开口;量测所述光阻开口的图形尺寸;根据光阻开口的图形尺寸以及摇摆曲线,获取光阻厚度的变化值。通过选定摇摆曲线中相邻波峰和波谷中间点对应的光阻厚度为光阻厚度的监控点,不仅可以获取光阻厚度的变化,还可以监控光阻厚度对图形尺寸的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN102508413B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201110328167.7

  • 发明设计人 王剑;

    申请日2011-10-25

  • 分类号G03F7/20(20060101);H01L21/66(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陆花

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

  • 入库时间 2022-08-23 09:18:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-04-09

    授权

    授权

  • 2012-07-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20111025

    实质审查的生效

  • 2012-06-20

    公开

    公开

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