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具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件

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摘要

一种声表面波器件包括由镧镓硅氧化物单晶制成的压电基片和至少一个叉指式换能器，其中叉指式换能器包括一对相互交错，并和压电基片接触的梳形电极。压电基片具有为(0°，30°，80°)的欧拉角，由此声表面波器件具有极好的TCD和较大的K

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1. 具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件 [P] . 中国专利： CN1127205C . 2003.11.05
2. 钽酸镓镧系单晶的制造方法以及钽酸镓镧系单晶 [P] . 中国专利： CN107923069B . 2020.06.26
3. A surface acoustic wave device having a lanthanum single crystal substrate [P] . 韩国专利： KR19990023886A . 1999-03-25

机译：具有镧单晶衬底的声表面波器件
4. Silicon doped gallium arsenide single crystal ingot for manufacturing gallium arsenide single crystal wafer, has specific crystallization average when solidification rate of gallium arsenide is in predetermined range [P] . 德国专利： DE102004015863A1 . 2005-04-21

机译：用于制造砷化镓单晶晶片的硅掺杂砷化镓单晶锭，当砷化镓的凝固速率在预定范围内时，具有特定的结晶平均值
5. Method for the production of a disc comprising gallium nitride, comprises providing a substrate from monocrystalline silicon with a superficial layer of monocrystalline 3C-silicon carbide [P] . 德国专利： DE102009055667A1 . 2011-03-31

机译：用于制造包含氮化镓的盘的方法，包括：从单晶硅提供具有单晶3C-碳化硅的表面层的衬底