首页> 外文期刊>Неорганические материалы >Рентгенографическое изучение монокристаллов La_3Ga_(5.5)Ta_(0.5)O_(14) и La_3Ga_(5.5)Nb_(0.5)O_(14) со структурой лангасита
【24h】

Рентгенографическое изучение монокристаллов La_3Ga_(5.5)Ta_(0.5)O_(14) и La_3Ga_(5.5)Nb_(0.5)O_(14) со структурой лангасита

机译:射线照相检查单晶硅La_3Ga_(5.5)Ta_(0.5)O_(14)和La_3Ga_(5.5)Nb_(0.5)O_(14)与硅酸镓镧的结构

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
获取外文期刊封面目录资料

摘要

Рентгенографическим методом изучены монокристаллы лангатата и ланганита шихтового состава La_3Ga_(5.5)Ta_(0.5)O_(14) -La_3Ga_(5.5)Nb_(0.5)O_(14) (LGT с M - Ta~(5+), LGN с M -Nb~(5+)), выращенные методом Чохральского как без отжига (LGT-I), так и с отжигом в вакууме (LGT-II), верхняя (LGN-III) и нижняя (LGN-IV) части кристалла. Кристаллы LGT, обработанные при разных условиях, отличаются распределением Ga и Ta по кристаллографическим позициям структуры: в La_3(Ga_(0.52)Ta_(0.48(2))~(5+)) Ga_3(Ga_(0.94)Ta_(0.06(1))~(3+)))_2O_(14) (LGT-I) ионы Ta~(5+) входят в октаэдрические позиции Ga(1), ионы Ta~(3+)- в тригонально-пирамидальные позиции Ga(3); в La_3(Ga_(0.55)Ta_(0.45(2))~(5+))Ga_3Ga_2O_(13.93(2) square 0.07) (LGT-II) ионы Ta~(5+) входят только в октаэдрические позиции Са(1), что сопровождается образованием кислородных вакансий. Повышенное содержание тантала ухудшает качество кристаллов LGT. Кристаллы LGN-III и LGN-IV имеют одинаковые составы соответственно La_3(Ga_(0.47)Nb_(0.53(1))~(5+)) Ga_5O_(14) и La_3(Ga_(0.48)Nb_(0.52(1))~(5+))Ga_5O_(14) и разную полярность.
机译:通过兰卡塔和植物植物植物植物植物(5.5)Ta_(0.5)O_(14)-LA_3GA_(5.5)NB_(0.5)O_(14)(LGT与M - TA〜(5+),LGN用C - Nb〜(5+))由Czohral方法生长,因为没有退火(LGT-1)和在真空(LGT-II)中的退火,上部(LGN-III)和较低(LGN-IV)部件水晶。在不同条件下处理的LGT晶体通过结构的晶体位置的族和Ta的分布来区分:在La_3(Ga_(0.52)Ta_(0.48(2))〜(5+))Ga_3(Ga_(0.94)Ta_( 0.06(1))〜(3 +)))_ 2O_(14)(LGT-I)离子Ta〜(5+)包括在十八面体位置Ga(1),Thonal-金字塔中的Ta离子(3 +)离子POSITION GA(3);在LA_3(GA_(0.55)TA_(0.45(2))〜(5 +))GA_3GA_2O_(13.93(2)方0.07)(LGT-II)离子TA〜(5+)包括在SA的八面体位置(1 )有什么伴随着氧空位的形成。增加的钽含量恶化了LGT晶体。 LGN-III和LGN-IV晶体分别具有相同的制剂La_3(Ga_(0.47)Nb_(0.53(1))〜(5+))Ga_5O_(14)和La_3(Ga_(0.48)Nb_(0.52(1 ))〜(5 +))Ga_5O_(14)和不同的极性。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号