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非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法

摘要

非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法;利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数am;采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差,以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品,每次测量晶格常数后,测量标准样品的晶格常数,计算仪器误差:Δa’=a’-a’0其中,a’0=5.431058为硅单晶的标准晶格常数;按下式消除仪器的测量误差,得到准确的单晶晶格常数:a=am-Δa’,am为半绝缘砷化镓单晶晶格常数的测量值。

著录项

  • 公开/公告号CN1117982C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2003-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN99100087.0

  • 申请日1999-01-08

  • 分类号G01N23/20;

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路肖庄

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-03-07

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2003-08-13

    授权

    授权

  • 2000-07-19

    公开

    公开

  • 1999-07-28

    实质审查请求的生效

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