降低数据保持状态耗电量实现稳定动作的半导体存储装置

摘要

本发明的半导体存储装置，具有正常动作方式和自更新动作方式，并备有：V_BB发生电路(204)，当内部电源电压(Vcc)大于规定值时，生成第1衬底电压(V_BB1)，而当小于时，生成绝对值更小的第2衬底电压(V_BB2)；位线等效电压(V_BL)生成装置(205)，在自更新动作方式下，当内部电源电压(Vcc)低于规定值时，输出用电阻分压后的Vcc/2的电压；4KE信号生成电路(220)，在自更新动作方式下，当内部电源电压(Vcc)低于规定值时，生成用于进行4K动作的信号(4KE)；及更新地址发生电路(221)。