法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-02
授权
授权
2012-09-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01Q 1/12 申请日:20111216
实质审查的生效
2012-07-04
公开
公开
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译: 产生至少一个期望曲率的弯曲管的方法,一种适合于执行这种方法的装置以及一种通过这种方法来制造的管
机译: 产生至少一个期望曲率的弯曲管的方法,一种适合于执行这种方法的装置以及一种通过这种方法来制造的管