法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-03-12
授权
授权
2012-09-26
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/26 申请日:20120224
实质审查的生效
2012-08-01
公开
公开
机译: 通过对负抗蚀剂层和正抗蚀剂层分别进行构图以及相应的蚀刻步骤来制造衰减相移光掩模的方法,该蚀刻步骤用于在透明基板上形成下层光屏蔽层和相移层
机译: 用于双曝光交替相移掩模工艺的三色调衰减相移微调掩模
机译: 用于双曝光交替相移掩模工艺的三色调衰减相移微调掩模