法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-03-05
授权
授权
2012-02-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20110622
实质审查的生效
2011-12-28
公开
公开
机译: 具有横向DMOST的半导体器件,该器件具有击穿电压上升区以及用于与背栅区交换电荷的装置
机译: 包括具有高击穿电压结构的单元区域和外围区域的半导体器件
机译: 半导体器件包括至少一个沟道区,该沟道区由具有供应区和漏极区的沟道区连接,该控制区具有与供应区的导电类型相反的漏极区和沟道区,该半导体本体包括具有供应区和漏极区的半导体本体,该沟道区至少由沟道区连接。