减少金属凸块结构下金属层底切现象的方法

摘要

本发明公开一种减少金属凸块结构下金属层底切现象的方法，于附有基板的晶片上形成下金属层，该下金属层包括一叠于基板之上的阻挡层与一叠于阻挡层之上的籽晶层。接着将金属凸块直接生长于下金属层的第一部分之上；其中，下金属层的第二部分未被金属凸块覆盖，且该下金属层的第二部分包含籽晶层部分及阻挡层部分；随之进行第一次蚀刻以移除籽晶层部分，再对晶片进行第一次清洗。进行第二次蚀刻以移除阻挡层部分，再对晶片进行第二次清洗。从第一次蚀刻到第一次清洗的第一转换时间与从第二次蚀刻到第二次清洗的第二转换时间，至少一个转换时间约在一秒之内。因底切造成结构剥落的情形得以减少，金属凸块与再配置线工艺的可靠度也大幅提升。