法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-02
专利权有效期届满 IPC(主分类):G03H 1/04 授权公告日:20030702 申请日:19981010
专利权的终止
2003-07-02
授权
授权
2003-07-02
授权
授权
2003-07-02
授权
授权
2002-01-23
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20011121 申请日:19981010
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2002-01-23
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20011121 申请日:19981010
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2002-01-23
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20011121 申请日:19981010
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2002-01-23
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20011121 申请日:19981010
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2000-09-27
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
2000-09-27
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
2000-09-27
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
1999-10-13
著录项目变更 变更前: 变更后: 申请日:19981010
著录项目变更
1999-10-13
著录项目变更 变更前: 变更后: 申请日:19981010
著录项目变更
1999-10-13
著录项目变更 变更前: 变更后: 申请日:19981010
著录项目变更
1999-07-14
公开
公开
1999-07-14
公开
公开
1999-07-14
公开
公开
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机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 晶体管,一种制造晶体管的方法,一种半导体器件,一种制造半导体器件的方法,一种显示器件,以及一种电子器件,能够抑制水分渗透到氧化物半导体层中
机译: 具有提高的光提取效率和可靠性的发光器件,一种发光器件制造方法以及一种发光器件封装