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用于正规化半导体器件中的应变的方法以及半导体器件

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本发明公开了一种正规化半导体器件中的应变的方法和应变正规化的半导体器件。该方法包括：形成集成电路的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；在第一场效应晶体管和第二场效应晶体管之上形成应力层，应力层在第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的沟道区中引起应变；以及选择性地减薄第二场效应晶体管的至少一部分之上的应力层。

著录项

公开/公告号CN101847605B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-01-15

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN201010143214.6
发明设计人 K·伯恩斯泰恩;B·巴尔驰;J·J·埃尔伊斯-莫纳格汉;N·哈比伯;
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申请日2010-03-26
分类号H01L21/8238(20060101);H01L27/092(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华;黄倩
地址美国纽约阿芒克
入库时间 2022-08-23 09:17:24

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-12-15

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8238 登记生效日:20171127 变更前: 变更后: 申请日:20100326

专利申请权、专利权的转移
2017-12-15

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8238 登记生效日:20171127 变更前: 变更后: 申请日:20100326

专利申请权、专利权的转移
2014-01-15

授权

授权
2014-01-15

授权

授权
2010-11-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20100326

实质审查的生效
2010-11-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20100326

实质审查的生效
2010-09-29

公开

公开
2010-09-29

公开

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