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液相沉积二氧化硅增加黑硅结构强度的方法

摘要

本发明公开了一种液相沉积二氧化硅增加黑硅结构强度的方法,其特征在于:利用液相沉积(LPD)方法,在黑硅表面沉积二氧化硅,直至将黑硅表面的空隙中或者密集分布的洞穴中全部用二氧化硅填满。本发明使用简单的液相沉积(LPD)生产工艺在黑硅上沉积二氧化硅(SiO2),增强了黑硅的结构强度,便于后续的太阳电池的制造。

著录项

  • 公开/公告号CN102605353B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-01-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏辉伦太阳能科技有限公司;

    申请/专利号CN201210070708.5

  • 发明设计人 孔凡建;蔡济波;

    申请日2012-03-16

  • 分类号

  • 代理机构南京纵横知识产权代理有限公司;

  • 代理人董建林

  • 地址 210061 江苏省南京市浦口高新开发区星火路1号

  • 入库时间 2022-08-23 09:17:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-10-12

    著录事项变更 IPC(主分类):C23C 18/00 变更前: 变更后: 申请日:20120316

    著录事项变更

  • 2014-11-05

    著录事项变更 IPC(主分类):C23C 18/00 变更前: 变更后: 申请日:20120316

    著录事项变更

  • 2014-01-22

    授权

    授权

  • 2012-09-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 18/00 申请日:20120316

    实质审查的生效

  • 2012-07-25

    公开

    公开

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