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存储器装置、存储器装置构造、构造、存储器装置形成方法、电流传导装置及存储器单元编程方法

摘要

一些实施例包含存储器装置,所述存储器装置具有:字线;位线;存储器元件,其可选择性地配置成三个或三个以上不同电阻状态中的一者;及二极管,其经配置以响应于正跨越所述字线与所述位线施加的电压而允许电流从所述字线穿过所述存储器元件流动到所述位线且无论所述电压增加还是减小均使所述电流减小。一些实施例包含存储器装置,所述存储器装置具有:字线;位线;存储器元件,其可选择性地配置成两个或两个以上不同电阻状态中的一者;第一二极管,其经配置以响应于第一电压而抑制第一电流从所述位线流动到所述字线;及第二二极管,其包括电介质材料且经配置以响应于第二电压而允许第二电流从所述字线流动到所述位线。

著录项

  • 公开/公告号CN102037515B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-12-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN200980118151.4

  • 发明设计人 钱德拉·穆利;

    申请日2009-04-30

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人宋献涛

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2022-08-23 09:17:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-12-25

    授权

    授权

  • 2011-06-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 8/08 申请日:20090430

    实质审查的生效

  • 2011-04-27

    公开

    公开

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