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半导体器件和使用应力记忆技术工艺制造半导体器件的方法

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摘要

本发明公开了一种使用SMT工艺制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成栅氧化层和栅极；沉积侧墙氧化层和侧墙氮化硅层，并对侧墙氮化硅层进行刻蚀；在PMOS区域上形成PR层，进行N

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-11-27

授权

授权
2012-12-19

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8234 变更前: 变更后: 登记生效日:20121116 申请日:20100104

专利申请权、专利权的转移
2011-08-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20100104

实质审查的生效
2011-07-06

公开

公开

1. 半导体器件和使用应力记忆技术工艺制造半导体器件的方法 [P] . 中国专利： CN102117773B . 2013.11.27
2. 采用应力记忆技术制造半导体器件的方法及半导体器件 [P] . 中国专利： CN108461394A . 2018-08-28
3. Method of manufacturing a semiconductor device using stress memorization techniqueSMT [P] . 韩国专利： KR101868803B1 . 2018-06-22

机译：使用应力记忆技术制造半导体器件的方法
4. Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method [P] . 美国专利： US9825153B2 . 2017-11-21

机译：使用等离子体掺杂工艺制造半导体器件的方法以及通过该方法制造的半导体器件
5. Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method [P] . 美国专利： US9577075B2 . 2017-02-21

机译：使用等离子体掺杂工艺制造半导体器件的方法以及通过该方法制造的半导体器件