公开/公告号CN101834264B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司;
申请/专利号CN201010167326.5
申请日2006-09-22
分类号H01L33/48(20100101);H01L33/56(20100101);H01L33/58(20100101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人王萍;周涛
地址 德国雷根斯堡
入库时间 2022-08-23 09:16:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-10-30
授权
授权
2010-11-03
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/48 申请日:20060922
实质审查的生效
2010-09-15
公开
公开
机译: 用于发射电磁束的光电子器件的壳体以及用于制造发射电磁束的光电子器件的方法以及用于发射电磁束的光电子器件的壳体或具有这种壳体的电磁束发射的器件的壳体
机译: 发射电磁辐射的光电子器件和用于制造光电子器件的方法
机译: 用于制造光电子器件的方法,光电子器件以及液态的第一合金在用于制造光电子器件中的用途