首页> 中国专利> 发射电磁辐射的光电子器件和用于制造光电子器件的方法

发射电磁辐射的光电子器件和用于制造光电子器件的方法

摘要

给出了一种光电子器件,其中该光电子器件具有壳和设置在壳中的发光二极管芯片(1),该发光二极管芯片发射有效辐射。壳具有对有效辐射可穿透的壳材料(5),该壳材料有目的地掺有吸收辐射的材料,用于调节所发射的有效辐射的预先给定的辐射强度或者光强。通过吸收辐射的颗粒(6)有目的地使辐射强度或者光强降低限定的值,以便调节器件的预先给定的辐射强度或者光强。此外还给出了一种用于制造这种光电子器件的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN101834264B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-10-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201010167326.5

  • 申请日2006-09-22

  • 分类号H01L33/48(20100101);H01L33/56(20100101);H01L33/58(20100101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人王萍;周涛

  • 地址 德国雷根斯堡

  • 入库时间 2022-08-23 09:16:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-10-30

    授权

    授权

  • 2010-11-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/48 申请日:20060922

    实质审查的生效

  • 2010-09-15

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号