一种交流偏置的超导场效应器件

摘要

本发明涉及超导电子学技术，特别是涉及一种交流偏置超导场效应器件。本发明的目的在于使用厚的外延超导薄膜来制备在77K以上温区工作的交流偏置场效应器件，和为了降低该器件的低频噪声，提高其它性能。提供一种在钛酸锶基片上溅射一层镱钡铜氧薄膜，光刻成桥型，再镀电介质层时留下电极点，最后镀金层并光刻四个方形电极和一个T型上门电极。T型门电极与镱钡铜氧薄膜桥交叉并绝缘。在金门电极与基片下的铜箔之间加交流偏置形成交流偏置场效应器件。该器件场效T应显著，制备工艺简单，并具有可在液氮温区工作等优点。