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非易失性存储元件、非易失性存储装置、非易失性半导体装置和非易失性存储元件的制造方法

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本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(105)；和电阻变化层(104)，其位于第一电极(103)与第二电极(105)之间，电阻值根据施加在两个电极(103、105)之间的电信号可逆地变化，该电阻变化层(104)由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层(107)和含有含氧率与第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层(108)层叠构成，并且当将第一钽氧化物表示为TaO_x时满足0＜x＜2.5，当将第二钽氧化物表示为TaO_y时满足x＜y≤2.5，第二电极(105)与第二钽氧化物层(108)接触，并且第二电极(105)由铂和钽构成。

著录项

公开/公告号CN102292814B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-10-23

原文格式PDF
申请/专利权人松下电器产业株式会社;
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申请/专利号CN201080005463.7
发明设计人藤井觉;有田浩二;三谷觉;三河巧;
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申请日2010-02-02
分类号H01L27/10(20060101);H01L45/00(20060101);H01L49/00(20060101);
代理机构11322 北京尚诚知识产权代理有限公司;
代理人龙淳
地址日本大阪府
入库时间 2022-08-23 09:16:04

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-30

专利权的转移 IPC(主分类):H01L27/10 登记生效日:20200611 变更前: 变更后: 申请日:20100202

专利申请权、专利权的转移
2013-10-23

授权

授权
2013-10-23

授权

授权
2012-02-08

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/10 申请日:20100202

实质审查的生效
2012-02-08

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/10 申请日:20100202

实质审查的生效
2011-12-21

公开

公开
2011-12-21

公开

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