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使用降低电弧和腐蚀的保护性含钇涂层涂覆半导体处理设备的方法

摘要

本发明公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法,所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性,以降低其在半导体处理室中出现电弧的机率。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-08-28

    授权

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  • 2010-09-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/44 申请日:20080730

    实质审查的生效

  • 2010-07-07

    公开

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