公开/公告号CN102150239B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-07-31
原文格式PDF
申请/专利权人 瓦里安半导体设备公司;
申请/专利号CN200980135989.4
申请日2009-08-24
分类号
代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司;
代理人臧建明
地址 美国麻萨诸塞州
入库时间 2022-08-23 09:15:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-07-31
授权
授权
2011-09-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20090824
实质审查的生效
2011-08-10
公开
公开
机译: 小尺寸因子等离子源,可产生高密度的宽带状离子束
机译: 小尺寸因子等离子源,可产生高密度的宽带状离子束
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