具有夹层结构的氮化物半导体结构和制作具有夹层结构的氮化物半导体结构的方法

摘要

一种半导体结构，包括第一层氮化物半导体材料、在所述第一层氮化物半导体材料上的基本未应变的氮化物夹层、以及在所述氮化物夹层上的第二层氮化物半导体材料。所述氮化物夹层具有第一晶格常数并且可以包括铝和镓并且可以利用n型掺杂剂进行导电掺杂。所述第一层和所述第二层一起具有至少大约0.5μm的厚度。所述氮化物半导体材料可以具有第二晶格常数，使得所述第一层在所述氮化物夹层的一侧可以比所述第二层在所述氮化物夹层的另一侧更多地拉伸应变。