实质上具有晶格匹配的半导体材料及其制造方法

摘要

本发明是一种实质上具有晶格匹配的半导体材料及其制造方法。在一方面中，该半导体元件包含有一第一半导体材料、一第二半导体材料以及一沉积于该第一半导体材料以及该第二半导体材料之间的原子模板间层；该原子模板间层将与第一半导体材料以及第二半导体材料产生键结并促使两半导体材料之间产生实质上的晶格匹配。