抗篡改半导体器件以及制造该抗篡改半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种抗篡改半导体器件，该抗篡改半导体器件包括衬底(5)，所述衬底(5)包括布置在所述衬底(5)的第一侧上的电子电路。在所述衬底(5)的与所述第一侧相对的第二侧上布置导电保护层(50，50a，50b)。至少三个贯穿衬底的连接(45)从所述衬底(5)的第一侧延伸至衬底(5)中并且与所述衬底(5)第二侧的导电保护层(50，50a，50b)电接触。在所述第一侧上布置安全电路，所述安全电路连接至贯穿衬底的导电连接(45)，并且被布置用于：通过贯穿衬底的导电连接(45)来测量导电保护层(50，50a，50b)的至少两个电阻值(R12，R23，R34，R14，R13，R24)。所述安全电路还被布置用于将所测量的电阻值(R12，R23，R34，R14，R13，R24)与基准电阻值进行比较。