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在存储器装置读取操作期间向字线选择性地施加负电压的系统和方法

摘要

本发明揭示在存储器装置读取操作期间向字线选择性地施加负电压的系统和方法。在实施例中,存储器装置(100)包括字线逻辑电路(110),所述字线逻辑电路(110)耦合到多个字线(108)且适合于选择性地向耦合到选定存储器单元的选定字线施加正电压(V)且向非选定字线施加负电压(NV),所述选定存储器单元包括磁性隧道结(MTJ)装置。

著录项

  • 公开/公告号CN101911203B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-07-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN200980101910.6

  • 申请日2009-01-09

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人刘国伟

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:14:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-07-17

    授权

    授权

  • 2011-01-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/16 申请日:20090109

    实质审查的生效

  • 2010-12-08

    公开

    公开

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