公开/公告号CN102084511B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-06-19
原文格式PDF
申请/专利权人 于利奇研究中心有限公司;
申请/专利号CN200980125867.7
发明设计人 H.科尔斯泰特;
申请日2009-06-19
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人刘春元
地址 德国于利奇
入库时间 2022-08-23 09:14:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-08-12
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 39/22 授权公告日:20130619 终止日期:20140619 申请日:20090619
专利权的终止
2013-06-19
授权
授权
2011-08-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 39/22 申请日:20090619
实质审查的生效
2011-06-01
公开
公开
机译: 基于隧道效应的三重栅极或多重栅极
机译: 形成半导体器件的多栅极氧化物层的方法和形成包括多栅极氧化物层以有效避免多栅极氧化物耗尽效应和阈值电压波动的栅极电极的方法
机译: 形成场效应晶体管的方法,形成场效应晶体管栅极的方法,形成包括晶体管栅极阵列和外围于该栅极阵列的电路的集成电路的方法,以及形成包括晶体管栅极阵列的集成电路的方法,该晶体管栅极阵列包括第一栅极和第二接地隔离门